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公司介绍
 BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜全力推进SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块,实现电力电子产业升级和自主可控!
 
为什么在储能变流器PCS应用中碳化硅SiC碳化硅模块全面革掉IGBT模块的命!
 
IGBT模块在十几 kHz开关频率中就会表现出严重的局限性,由于IGBT模块尾电流导致损耗较大。使用 SiC-MOSFET模块,开关频率增加,从而减小了滤波器体积。SiC 模块允许在数十和数百 kHz 的频率下运行,开关损耗相对较低,从而显著减少了滤波器和散热热系统的体积。这些技术进步使变流器总体积大幅度减少,效率提高,从而能够在较低温度下运行并可能延长组件的使用寿命。
为了满足PCS储能变流器更高效的需求,使用基本公司碳化硅SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块,可以提升系统效率1%,有效提升客户在PCS生命周期里的收益。SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块,从而将PCS储能变流器开关损耗降低高达 70% 至 80%,在储能变流器PCS应用中碳化硅SiC碳化硅模块全面革掉IGBT模块的命。
 
 
为了保持电力电子系统竞争优势,同时也为了使最终用户获得经济效益,一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技... [详细介绍]
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